АМОРФНЫЙ ОКСИД ВАНАДИЯ – НЕОРГАНИЧЕСКИЙ РЕЗИСТ ДЛЯ НАНОЛИТОГРАФИИ
Основным технологическим процессом в микроэлектронике в течении более 40 лет продолжает оставаться литография. Литографические процессы классифицируются по способу энергетического воздействия (экспонирования) на чувствительный слой (резист) наносимый на полупроводниковую подложку: оптическая, электронно-лучевая (ЭЛ), рентгеновская и ионная литография. Анализируя ключевые аспекты литографического процесса с разрешением <100 нм, нужно выделить две основные проблемы: источник экспонирования и адекватный резист. Любые из разpaбатываемых систем экспонирования (в частности, оптические DUV и EUV и ЭЛ) в принципе обеспечивают необходимое разрешение, тогда как проблема резиста остается открытой [1]. Одна из нерешенных задач заключается в низкой стойкости к плазменным процессам существующих резистов. Резистивные материалы, представляющие собой органические полимерные композиции (например, PMMA), легко разрушаются в ходе плазменного травления.
Ранее нами было показано [2], что перспективными для разработки неорганических резистов являются метастабильные аморфные пленки диоксида ванадия, имеющие высокую чувствительность к фотонному и электронному облучениям.
В данной работе представлены результаты, полученные при разработке электронно-лучевого литографического процесса с негативным неорганическим резистом на основе аморфных оксидов ванадия. Аморфные пленки оксида ванадия были получены методом анодного окисления. После ЭЛ обработки происходит изменение физико-химических свойств материала, заключающееся, в частности, в росте плазменной и химической стабильности оксида, что позволяет проводить селективное травление пленки на этапе проявления резиста. Перечислим основные параметры и хаpaктеристики оксидно-ванадиевого резиста.
Чувствительность к электронно-лучевому экспонированию Dmin. Чувствительность зависит от параметров экспонирования, условий окисления, времени хранения. Для энергии электронов в пределах 1-15 кэВ минимальные дозы обеспечивающие проявление линий шириной ~ 100 нм достигали 15-20 мкКл/см2. Для энергий электронов 20-50 кэВ Dmin увеличивается до 50-100 мкКл/см2. Отметим также, что Dmin зависит от экспозиционного тока и уменьшается с его ростом.
Разрешение оксидно-ванадиевого резиста. При 50 кВ экспонировании было получено разрешение меньше 100 нм (~ 70 нм). Экспозиционные дозы при этом достигали значений 200 - 300 мкКл/см2. Уменьшение размера зерен металлического ванадия или переход на альтернативные методы получения оксидных слоев обеспечивает более высокое разрешение.
Термо- и плазмостабильность оксидно-ванадиевого резиста. Каждый из слоев оксидно-ванадиевого резиста обладает высокой термо и плазмостабильностью, хаpaктерной для неорганических материалов. Это позволяет проявлять резист сухими плазменными процессами, которые обеспечивают высокое разрешение.
Для оптимального литографического процесса необходимо обеспечить отношение высоты линии резиста к ширине ~ 1: 1. Высокая стабильность оксида ванадия позволяет проводить подобный режим травления.
В заключение рассмотрим возможные механизмы трaнcформации свойств оксидов переходных металлов под действием электронного облучения. При больших дозах облучения хаpaктер модификации свойств аналогичен процессам, наблюдаемым при термической обработке оксидных пленок. Доминирующей причиной модификации свойств в данном случае являются кристаллизационные процессы в исходно аморфных структурах. Естественно предположить развитие процессов кристаллизации и при ЭЛ обработке оксидов. Это подтверждается прямыми рентгенографическими исследованиями изменения структуры аморфных оксидов ванадия [3].
Определенные сложности возникают при анализе эффекта модификации свойств оксидов при низких плотностях энергии (малых дозах). Мы полагаем, что наиболее вероятным процессом в данном случае является электронно-лучевое возбуждение перехода металл-изолятор в VO2 и переход пленки в металлическое состояние. При этом также происходит электронно-индуцированное изменение стехиометрии оксида за счет перераспределения кислорода между внешними (V2O5) внутренними (VO2) слоями оксида, а также металлической подложкой. Дальнейшая генерация, под действием облучения, дефектов нестехиометрии типа кислородных вакансий, играющих роль донорных центров, будет стабилизировать металлическую фазу VO2.
Работа выполнена при поддержке гранта Министерства Образования РФ и Американского Фонда Гражданских Исследований и Развития (CRDF) № PZ-013-02.
- E.H.Anderson, G.G.Barclay, L.E.Ocola, R.L.Brainard // Microelectronic Engineering. 2002,V.61-62, P.707-715.
- A.L. Pergament, G.B. Stefanovich, E.L. Kazakova, D.G. Stefanovich, A.A. Velichko // Sol. St. Phenomens, 2003, V. 90-91, P.97-102.
- Г. Б. Стефанович, А.Л. Пергамент, А.А. Величко, Д.Г. Стефанович, Н.А. Кулдин, П. П. Борисков // Сбор. док. 15-го Межд. симпозиума «Тонкие пленки в оптике и электронике, Харьков, 2003, C.263-267.
Статья в формате PDF
688 KB...
05 07 2026 5:18:14
Статья в формате PDF
267 KB...
04 07 2026 12:55:39
Статья в формате PDF
146 KB...
03 07 2026 12:54:45
Статья в формате PDF
112 KB...
01 07 2026 6:16:19
Статья в формате PDF
120 KB...
29 06 2026 22:55:41
Статья в формате PDF
109 KB...
28 06 2026 21:10:36
Статья в формате PDF
121 KB...
27 06 2026 20:33:58
Статья в формате PDF
121 KB...
26 06 2026 16:53:25
Статья в формате PDF
115 KB...
25 06 2026 8:51:13
Статья в формате PDF
99 KB...
24 06 2026 21:57:47
Статья в формате PDF
128 KB...
23 06 2026 4:42:32
Статья в формате PDF
106 KB...
22 06 2026 13:30:58
Статья в формате PDF
139 KB...
21 06 2026 9:55:24
Статья в формате PDF
142 KB...
20 06 2026 22:46:35
Статья в формате PDF
110 KB...
19 06 2026 19:53:15
Статья в формате PDF
163 KB...
18 06 2026 6:18:14
Статья в формате PDF
102 KB...
17 06 2026 3:16:25
Статья в формате PDF
263 KB...
16 06 2026 19:36:56
Статья в формате PDF
112 KB...
15 06 2026 11:18:23
Статья в формате PDF
119 KB...
14 06 2026 15:24:39
Статья в формате PDF 112 KB...
13 06 2026 2:26:27
Статья в формате PDF
136 KB...
12 06 2026 13:48:56
Статья в формате PDF
308 KB...
11 06 2026 14:27:41
Статья в формате PDF
140 KB...
10 06 2026 21:16:10
На поверхности инометацин-индуцированной язвы тонкого кишечника через 24 часа после его однократного введения формируется бактериальный биофильм.
...
09 06 2026 21:21:24
Статья в формате PDF
255 KB...
08 06 2026 16:16:50
Статья в формате PDF
294 KB...
07 06 2026 7:39:35
Статья в формате PDF
102 KB...
06 06 2026 14:54:22
Статья в формате PDF
100 KB...
05 06 2026 22:23:26
Статья в формате PDF
132 KB...
04 06 2026 5:48:10
Статья в формате PDF
121 KB...
03 06 2026 7:52:31
В статье рассмотрено негативное воздействие отвалов на окружающую среду. Описаны основные явления, возникающие с появлением отвала и их вредное воздействие. Предложены пути предотвращения эрозионных процессов. Описаны мероприятия для сбора и отвода поверхностного стока вод с отвалов. Рассмотрено самовозгорание отвалов и предложена селективная отсыпка их горизонтальными слоями.
...
02 06 2026 21:41:36
С экологических позиций излагается представление о человеке как метасистеме, состоящей из макроскопического (тело) и микроскопического (микробиота) компонентов. Последний определяется как биоценоз микроорганизмов — бактерий, простейших, микроскопических грибов и вирусов, встречающийся у здоровых людей. Приводятся некоторые количественные хаpaктеристики микробиоты человека: общее число микроорганизмов, суммарная биомасса, процентное содержание облигатной, факультативной и транзиторной составляющих, время, за которое происходит смена генерации микроорганизмов. Рассматриваются главные системоообразующие факторы, обеспечивающие целостность микробиоты: структурный, метаболический, генетический и информационный. Анализируются взаимоотношения микробиоты и макроорганизма в нормальных физиологических условиях и при патологии. Обсуждаются механизмы развития дисбиозов и патогенетически обоснованные подходы к их коррекции.
...
01 06 2026 11:44:51
Статья в формате PDF
139 KB...
30 05 2026 17:48:17
Статья в формате PDF
298 KB...
29 05 2026 0:27:49
Статья в формате PDF
108 KB...
28 05 2026 8:17:21
Статья в формате PDF
279 KB...
27 05 2026 17:22:29
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::
