БАХРУШИН ВЛАДИМИР ЕВГЕНЬЕВИЧ > Полезные советы
Тысяча полезных мелочей    

БАХРУШИН ВЛАДИМИР ЕВГЕНЬЕВИЧ

БАХРУШИН ВЛАДИМИР ЕВГЕНЬЕВИЧ

Статья в формате PDF 114 KB

Бахрушин Владимир Евгеньевич

Члeн-корреспондент Российской Академии Естествознания

Бахрушин Владимир Евгеньевич - академик АН высшей школы Украины, члeн-корреспондент Российской академии естествознания, профессор, доктор физико-математических наук.

Родился 29 мая 1960 г. в г. Орджоникидзе (ныне Владикавказ).

В 1983 г. Закончил физико-химический факультет Московского института стали и сплавов (МИСиС), а в 1986 г. - того же института по специальности «Физика твердого тела». В 1988 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Взаимодействие и диффузия примесей внедрения в сплавах на основе ниобия», а в 1999 г. - докторскую диссертацию на тему «Механизмы формирования и физические свойства примесно-дефектной подсистемы слаболегированных монокристаллов и монокристаллических слоев многослойных композиций

В 1980-1986 г. на кафедре высокотемпературных материалов МИСиС занимался исследование влияния комплексного легирования и термических обработок на физические свойства сплавов внедрения на основе ниобия. Биллы определены закономерности распределения кислорода и азота по позициям различного типа, построена модель диффузии примесей внедрения в сплавах, определены хаpaктер и механизмы влияния легирующих примесей на кинетику взаимодействия азота со сплавами ниобия при высоких температурах.

В 1987-1990 г. в Центральной научно-исследовательской лаборатории полупроводников Запорожского титано-магниевого комбината занимался изучением процессов формирования и физических свойств, а также усовершенствованием технологий получения кремниевых и германиевых автоэпитаксиальных композиций. В частности, был уточнен механизм автолегирования при формировании слаболегированных эпитаксиальных слоев кремния методами водородного восстановления хлорсиланов; выявлено образование донорных центров при высокотемпературных обработках слаболегированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев кремния в водороде, а также механизм и закономерности их накопления; усовершенствованы технологии газофазного осаждения автоэпитаксиальных слоев кремния и германия; разработаны технологии получения многослойных эпитаксиальных композиций и эпитаксиальных слоев с заданным профилем легирования.

В 1990-2000 г. работал на физическом факультете Запорожского государственного университета. Разработал и читал курсы компьютерного моделирования физических процессов, механики, методов физических исследований, физических основ материаловедения и др. Основные исследования в этот период были связаны с компьютерным моделированием процессов формирования и физических свой слаболегированных монокристаллических слоев кремниевых композиций. Были установлены основные механизмы и закономерности формирования прослоек с электропроводностью противоположного типа в изотипных композициях, а также влияния электрически неактивных примесей на искажения решетки в переходной области n+-n и p+-p кремниевых композиций; уточнены механизмы формирования ступенек сдвига и линий скольжения, предложена их кристаллографическая классификация; введено понятие области идеальности твердого раствора и определены условия их формирования в многокомпонентных растворах; определены закономерности влияния параметров процесса на эффективность геттерирования быстродиффундирующих примесей в полупроводниковых композициях.

С 2000 г. В.Е. Бахрушин работает заведующим кафедрой системного анализа и высшей математики Классического приватного университета (г. Запорожье), а с 2007 г. - одновременно заместителем директора Института управления КПУ. В этот период под его руководством в КПУ была организована подготовка бакалавров, специалистов и магистров по направлению «Системный анализ». Разработаны и прочитаны базовые курсы «Анализ данных», «Моделирование систем», «Математическое моделирование», «Теория систем» и др. Основные направления научных исследований в этот период связаны с разработкой методов идентификации математических моделей, методов анализа данных, исследованием физических, образовательных и других систем. В частности, были определены механизмы влияния переходных металлов разных групп на физические свойства и распад пересыщенных твердых растворов внедрения на основе ниобия; разработаны методика, алгоритмы и программное обеспечение для идентификации математических моделей сложных релаксационных процессов по экспериментальным данным; введено понятие слобосвязанной системы и определены некоторые свойства таких систем; разработаны методика, алгоритмы и программное обеспечение идентификации моделей неоднородных распределений и установлено типичные функции распределения ряда социальных, экономических и производственных показателей; построена и исследована математическая модель управления финансами университета; разработаны алгоритмы и программное обеспечение для проведения нелинейного авто- и кросс-корреляционного анализа временных рядов.

В 2007 г. В.Е. Бахрушин награжден Почетным знаком Министерства образования и науки Украины «за научные достижения».

В.Е. Бахрушин является автором более 300 научных публикаций, в т.ч. 3 монографий, 8 учебных пособий, 10 изобретений.



ЭКОЛОГО-БИОЛОГИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ТЕРРИТОРИИ ПРИРОДНОГО ПАРКА «НУМТО» (ХАНТЫ-МАНСИЙСКИЙ АВТОНОМНЫЙ ОКРУГ)

ЭКОЛОГО-БИОЛОГИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ТЕРРИТОРИИ ПРИРОДНОГО ПАРКА «НУМТО» (ХАНТЫ-МАНСИЙСКИЙ АВТОНОМНЫЙ ОКРУГ) В статье дана комплексная хаpaктеристика природных условий территории природного парка «Нумто»: приводятся сведения по геоморфологии, климату, гидрографии, растительному покрову, фауне уникального участка водно-болотных угодий на стыке подзон северной и средней тайги Западной Сибири. ...

30 04 2026 19:48:36

ФАЛЬСИФИКАЦИЯ ПОТРЕБИТЕЛЬСКИХ ТОВАРОВ

ФАЛЬСИФИКАЦИЯ ПОТРЕБИТЕЛЬСКИХ ТОВАРОВ Статья в формате PDF 422 KB...

24 04 2026 16:51:44

ОСОБЕННОСТИ ГРВ БИОЭЛЕКТРОГРАФИИ СЕКРЕТОВ БОЛЬШИХ СЛЮННЫХ ЖЕЛЕЗ У БОЛЬНЫХ САХАРНЫМ ДИАБЕТОМ

ОСОБЕННОСТИ ГРВ БИОЭЛЕКТРОГРАФИИ СЕКРЕТОВ БОЛЬШИХ СЛЮННЫХ ЖЕЛЕЗ У БОЛЬНЫХ САХАРНЫМ ДИАБЕТОМ С использованием метода газоразрядной визуализации (ГРВ) проведено исследование секретов околоушных, подчелюстных и подъязычных больших слюнных желез у 20 больных 2 типом сахарного диабета и 14 пpaктически здоровых людей. Выявлено, что параметры ГРВ-грамм секретов больших слюнных желез у пациентов с сахарным диабетом существенно ниже, чем у относительно здоровых лиц (p ...

14 04 2026 0:35:58

ПРЕМЕДИКАЦИЯ: ФАРМАКОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ

ПРЕМЕДИКАЦИЯ: ФАРМАКОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ Статья в формате PDF 244 KB...

13 04 2026 7:52:21

Фенологическая хаpaктеристика Ивановской области

Фенологическая хаpaктеристика Ивановской области Статья в формате PDF 267 KB...

07 04 2026 3:31:11

ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ В СИСТЕМЕ ГУМАНИТАРНОГО ЗНАНИЯ

ИСКУССТВОВЕДЕНИЕ В СИСТЕМЕ ГУМАНИТАРНОГО ЗНАНИЯ Статья в формате PDF 119 KB...

05 04 2026 11:16:34

СИЛЬМАН ГРИГОРИЙ ИЛЬИЧ

СИЛЬМАН ГРИГОРИЙ ИЛЬИЧ Статья в формате PDF 83 KB...

03 04 2026 9:14:59

ЛИЧНОСТНООРИЕНТИРОВАННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ

ЛИЧНОСТНООРИЕНТИРОВАННАЯ ТЕХНОЛОГИЯ Статья в формате PDF 259 KB...

31 03 2026 2:16:44

РОСТ И РАЗВИТИЕ САЖЕНЦЕВ ЛИСТВЕННИЦЫ В УСЛОВИЯХ ИСКУССТВЕННОГО РАЗВЕДЕНИЯ

РОСТ И РАЗВИТИЕ САЖЕНЦЕВ ЛИСТВЕННИЦЫ В УСЛОВИЯХ ИСКУССТВЕННОГО РАЗВЕДЕНИЯ Приведены результаты опыта искусственного разведения лиственницы, проведенного впервые в Центральной Якутии с целью ускорения лесообразовательного процесса в зеленой зоне с. Матта Мегино-Кангаласского района. Выявлен высокий процент приживаемости саженцев (98,3-83,5 %). Установлено, что в первые годы после посадки идет адаптация саженцев к новым условиям среды, начиная с 3-4 года после посадки дают хороший прирост в высоту. ...

27 03 2026 10:38:45

Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::