ВЛИЯНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ПРОЦЕСС ТРАВЛЕНИЯ ФОСФИДА ИНДИЯ В МАГНЕТРОННОМ РАЗРЯДЕ

В настоящее время совершенствованию технологии изготовления приборов на основе использования сложных полупроводников уделяется значительное внимание [1, 2]. При этом одной из ведущих проблем остается разработка методов прецизионного формирования на поверхности функционального слоя заданного микрорельефа. Одним из ведущих направлений решения данной проблемы является травление микрорельефа с использованием низкотемпературной газоразрядной плазмы, решающим достоинством которого является возможность травления с высокой анизотропностью [3].
Целью настоящей работы является исследование особенностей травления фосфида индия в химически активной низкотемпературной плазме магнетронного разряда.
Эксперименты проводились в реакторе, который конструктивно представляет собой заземленный электрод, служащий вакуумной камерой, выполненный в виде тонкостенного прямоугольного параллелепипеда и верхней герметизирующей крышки, также являющейся частью заземленного электрода. В верхней крышке имеется окно для контроля процесса травления. Через боковые стенки вакуумной камеры-реактора происходит прохождение магнитного поля внутрь технологического объема. Внутри вакуумной камеры на осях симметрии размещен электрод, служащий подложкодержателем, на который подается ВЧ-напряжение. В этом электроде-подложкодержателе имеются каналы для циркулирования охлаждающей жидкости. Электрод-подложкодержатель закреплен внутри вакуумной камеры на трубках, которые служат одновременно для подачи охлаждающей жидкости. Герметизирующие прокладки у этих трубок одновременно являются диэлектрическими изоляторами. Снаружи вакуумной камеры расположена система магнитов. Размеры магнитных панелей выполнены с учетом того, чтобы была использована полностью центральная часть разрядной камеры, и вектор напряженности магнитного поля имел в основном составляющую параллельную рабочей поверхности электрода-подложкодержателя. Конструкция магнетронного реактора с горением разряда вокруг электрода-подложкодержателя обеспечивает получение плотности мощности разряда 3 Вт/см2 и при максимальной мощности питающего ВЧ-генератора 2,5 кВт. Минимальное рабочее давление, полученное в таком реакторе, при котором устойчиво зажигается разряд составляет 0,13 Па.
Регулирование индукции магнитного поля проводилось путем увеличения расстояния между системой магнитов и стенками вакуумной камеры-реактора. Зависимости скорости травления InP от индукции магнитного поля при различных давлениях в реакторе и с использованием в качестве плазмообразующего рабочего газа C2C13F3 представлены на рис.1. При увеличении индукции магнитного поля скорость травления InP возрастает, что объясняется увеличением плотности мощности разряда. Кроме того, с увеличением давления наблюдается такого уменьшение влияния, вследствие того, что травление носит в большой степени химический хаpaктер. Применение магнетронного разряда позволяет получать значительно более высокие плотности мощности разряда, проводить травление при более низких давлениях, что позволяет проводить процесс при высокой анизотропии.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых структур. - ФТП, 1998, т.32, №1, с.3-78
- Материалы 20-й Международной конференции по фосфиду индия и родственным материалам IPRM-2008 (Франция, Версаль, 2008). - http://www.expoclub.ru/db/conference/view.
- Кушхов А.Р. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники: Дис. канд. техн., наук: 05.27.01. - Нальчик, 2004. 148 с.
Статья в формате PDF
109 KB...
19 09 2026 1:43:52
Статья в формате PDF
163 KB...
18 09 2026 18:53:15
Статья в формате PDF
108 KB...
17 09 2026 7:37:59
Статья в формате PDF
120 KB...
16 09 2026 0:56:33
Статья в формате PDF
111 KB...
15 09 2026 21:54:48
Статья в формате PDF
135 KB...
14 09 2026 12:31:54
Статья в формате PDF
191 KB...
13 09 2026 9:37:32
Статья в формате PDF
327 KB...
12 09 2026 6:53:31
Статья в формате PDF
123 KB...
11 09 2026 3:13:49
Статья в формате PDF
129 KB...
09 09 2026 11:51:16
Статья в формате PDF
136 KB...
08 09 2026 9:44:44
Статья в формате PDF
167 KB...
07 09 2026 3:32:55
Статья в формате PDF
119 KB...
06 09 2026 0:55:29
Статья в формате PDF
185 KB...
02 09 2026 1:31:26
Статья в формате PDF
113 KB...
01 09 2026 1:21:49
Статья в формате PDF
122 KB...
31 08 2026 6:28:52
Статья в формате PDF
134 KB...
28 08 2026 4:49:54
Статья в формате PDF
295 KB...
27 08 2026 20:25:10
Статья в формате PDF
109 KB...
26 08 2026 13:56:53
Статья в формате PDF
117 KB...
25 08 2026 22:16:25
23 08 2026 13:52:16
Статья в формате PDF
102 KB...
21 08 2026 20:50:55
Статья в формате PDF
130 KB...
20 08 2026 10:41:43
Статья в формате PDF
126 KB...
19 08 2026 0:37:14
Статья в формате PDF
251 KB...
18 08 2026 8:55:26
Статья в формате PDF
244 KB...
17 08 2026 17:36:48
Статья в формате PDF
253 KB...
16 08 2026 20:17:14
Статья в формате PDF
292 KB...
15 08 2026 10:53:40
Статья в формате PDF
164 KB...
13 08 2026 15:27:18
Проведен анализ криминальной агрессии лиц с психическими расстройствами в различные социально-экономические периоды развития России (советский, перестройка, современный период). Выявлена прямая корреляционная зависимость уровня криминальной агрессии лиц с умственной отсталостью со снижением уровня жизни. Существенную роль в формировании криминальной агрессии указанного контингента играли корыстные мотивы. Предлагаются методы первичной и вторичной психопрофилактики.
...
12 08 2026 22:16:31
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::