ВЛИЯНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ПРОЦЕСС ТРАВЛЕНИЯ ФОСФИДА ИНДИЯ В МАГНЕТРОННОМ РАЗРЯДЕ

В настоящее время совершенствованию технологии изготовления приборов на основе использования сложных полупроводников уделяется значительное внимание [1, 2]. При этом одной из ведущих проблем остается разработка методов прецизионного формирования на поверхности функционального слоя заданного микрорельефа. Одним из ведущих направлений решения данной проблемы является травление микрорельефа с использованием низкотемпературной газоразрядной плазмы, решающим достоинством которого является возможность травления с высокой анизотропностью [3].
Целью настоящей работы является исследование особенностей травления фосфида индия в химически активной низкотемпературной плазме магнетронного разряда.
Эксперименты проводились в реакторе, который конструктивно представляет собой заземленный электрод, служащий вакуумной камерой, выполненный в виде тонкостенного прямоугольного параллелепипеда и верхней герметизирующей крышки, также являющейся частью заземленного электрода. В верхней крышке имеется окно для контроля процесса травления. Через боковые стенки вакуумной камеры-реактора происходит прохождение магнитного поля внутрь технологического объема. Внутри вакуумной камеры на осях симметрии размещен электрод, служащий подложкодержателем, на который подается ВЧ-напряжение. В этом электроде-подложкодержателе имеются каналы для циркулирования охлаждающей жидкости. Электрод-подложкодержатель закреплен внутри вакуумной камеры на трубках, которые служат одновременно для подачи охлаждающей жидкости. Герметизирующие прокладки у этих трубок одновременно являются диэлектрическими изоляторами. Снаружи вакуумной камеры расположена система магнитов. Размеры магнитных панелей выполнены с учетом того, чтобы была использована полностью центральная часть разрядной камеры, и вектор напряженности магнитного поля имел в основном составляющую параллельную рабочей поверхности электрода-подложкодержателя. Конструкция магнетронного реактора с горением разряда вокруг электрода-подложкодержателя обеспечивает получение плотности мощности разряда 3 Вт/см2 и при максимальной мощности питающего ВЧ-генератора 2,5 кВт. Минимальное рабочее давление, полученное в таком реакторе, при котором устойчиво зажигается разряд составляет 0,13 Па.
Регулирование индукции магнитного поля проводилось путем увеличения расстояния между системой магнитов и стенками вакуумной камеры-реактора. Зависимости скорости травления InP от индукции магнитного поля при различных давлениях в реакторе и с использованием в качестве плазмообразующего рабочего газа C2C13F3 представлены на рис.1. При увеличении индукции магнитного поля скорость травления InP возрастает, что объясняется увеличением плотности мощности разряда. Кроме того, с увеличением давления наблюдается такого уменьшение влияния, вследствие того, что травление носит в большой степени химический хаpaктер. Применение магнетронного разряда позволяет получать значительно более высокие плотности мощности разряда, проводить травление при более низких давлениях, что позволяет проводить процесс при высокой анизотропии.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых структур. - ФТП, 1998, т.32, №1, с.3-78
- Материалы 20-й Международной конференции по фосфиду индия и родственным материалам IPRM-2008 (Франция, Версаль, 2008). - http://www.expoclub.ru/db/conference/view.
- Кушхов А.Р. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники: Дис. канд. техн., наук: 05.27.01. - Нальчик, 2004. 148 с.
Статья в формате PDF
106 KB...
12 04 2026 5:43:18
Статья в формате PDF
144 KB...
10 04 2026 18:43:20
Статья в формате PDF
106 KB...
09 04 2026 1:58:42
08 04 2026 18:36:46
Статья в формате PDF
135 KB...
06 04 2026 1:39:54
Статья в формате PDF
124 KB...
05 04 2026 2:17:11
04 04 2026 14:16:12
Статья в формате PDF
245 KB...
03 04 2026 21:21:47
Статья в формате PDF
138 KB...
02 04 2026 18:22:43
Статья в формате PDF
113 KB...
01 04 2026 6:19:21
Статья в формате PDF
308 KB...
31 03 2026 10:50:10
Проблема создания эффективных препаратов, обладающих выраженным репаративным эффектом и ускоряющих процессы заживления ран после перенесенного механического воздействия, продолжает оставаться очень актуальной.
Исследование сводится к созданию биологического стимулятора для интенсификации и возможности скорейшего заживления поврежденных кожных покровов, а не к созданию фармакологического препарата или лекарственного средства
...
29 03 2026 23:49:16
Статья в формате PDF
235 KB...
28 03 2026 19:35:47
Статья в формате PDF
110 KB...
27 03 2026 3:20:11
Статья в формате PDF
125 KB...
26 03 2026 4:53:50
Статья в формате PDF
120 KB...
25 03 2026 4:24:41
Статья в формате PDF
175 KB...
24 03 2026 21:31:15
Статья в формате PDF
108 KB...
23 03 2026 17:47:27
21 03 2026 7:21:43
19 03 2026 0:38:51
Статья в формате PDF
135 KB...
18 03 2026 19:24:21
Статья в формате PDF
253 KB...
17 03 2026 11:46:14
Статья в формате PDF
127 KB...
16 03 2026 18:29:41
Статья в формате PDF
111 KB...
15 03 2026 16:47:26
Статья в формате PDF
107 KB...
13 03 2026 0:42:13
Статья в формате PDF
141 KB...
12 03 2026 16:57:44
Статья в формате PDF
100 KB...
11 03 2026 9:10:21
Статья в формате PDF
214 KB...
10 03 2026 4:47:23
Статья в формате PDF
100 KB...
09 03 2026 12:11:31
Статья в формате PDF 278 KB...
08 03 2026 13:51:28
Статья в формате PDF
111 KB...
06 03 2026 15:22:26
Статья в формате PDF
276 KB...
05 03 2026 7:28:50
Статья в формате PDF
124 KB...
04 03 2026 14:26:44
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::