ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР
Перед современной микроэлектроникой стоят проблемы повышения степени интеграции, уменьшения потрeбляемой мощности и размеров элементов разpaбатываемых интегральных схем (ИС), поэтому важно знать физические ограничения, накладываемые на процессы их изготовления. В связи с этим проблема исследования технологических процессов и предельных параметров при изготовлении ИС является важной и актуальной.
Для выявления физических ограничений и выработки требований к материалам, на основе которых изготавливаются ИС, были изучены физические основы таких процессов изготовления ИС, как оксидирование, литография, диффузия примесей и эпитаксия; проведены экспериментальные исследования образцов эпитаксиальных структур, на основе которых изготавливают ИС и оценочные расчёты предельных параметров процессов изготовления ИС.
Исследование процесса окисления кремниевых пластинок показало, что для выращивания пленок в атмосфере сухого кислорода, имеющих более совершенную структуру, требуются значительной затраты времени. Быстрее происходит выращивание пленки во влажном кислороде, но эти пленки получаются пористыми, с проколами. Поэтому наиболее выгодно использовать комбинированный метод окисления, который сочетает в себе преимущества этих двух методов, пленки получаются прочные, нужной толщины (от 0,2 до 1,2 мкм) за оптимальный промежуток времени.
В связи с этим одним из основных параметров SiO2 является величина напряжения, при котором наступает пробой. Зондовым методом определили значение пробивного поля окисной пленки, получили примерно 0,4 МВ*см-1, что соответствует пробою в дефектном месте.
При фотолитографии по ряду причин существует ограничение на минимальный размер изображении, которое можно получить этим методом. Проведенная оценка теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при различных видах литографии показывает, что рентгенолитография отличается большей разрешающей способностью, чем фотолитография. Получили, что λ=300 нм теоретически можем получить линию толщиной 0,2 мкм. Сегодня осуществляется переход к EUV-литографии (λ=13 нм), что делает возможной печать линий гораздо меньшей ширины - до 30 нм.
Статья в формате PDF
79 KB...
23 03 2026 8:37:40
Статья в формате PDF
245 KB...
20 03 2026 18:57:19
Статья в формате PDF
254 KB...
19 03 2026 13:13:19
Статья в формате PDF
253 KB...
18 03 2026 2:51:28
Статья в формате PDF
136 KB...
17 03 2026 13:27:58
Статья в формате PDF
99 KB...
16 03 2026 18:50:33
Статья в формате PDF
125 KB...
15 03 2026 1:23:37
Статья в формате PDF
113 KB...
14 03 2026 4:31:56
Статья в формате PDF
105 KB...
13 03 2026 11:57:12
Статья в формате PDF
278 KB...
12 03 2026 17:16:20
Статья в формате PDF
119 KB...
11 03 2026 21:19:30
Статья в формате PDF
121 KB...
10 03 2026 9:41:35
Статья в формате PDF
114 KB...
08 03 2026 3:35:48
Статья в формате PDF
112 KB...
07 03 2026 17:56:13
Статья в формате PDF
130 KB...
06 03 2026 11:10:46
Статья в формате PDF
101 KB...
05 03 2026 12:58:37
Статья в формате PDF
105 KB...
04 03 2026 14:17:36
Статья в формате PDF
125 KB...
03 03 2026 17:40:58
Краниальные брыжеечные лимфатические узлы морской свинки размещаются вдоль ствола одноименной артерии и около конца подвздошно-ободочной артерии (центральные и периферические узлы). ...
02 03 2026 18:21:13
В статье дано определение техническому состоянию техники, представлены виды технических состояний и процессы изменения технического состояния при эксплуатации. Бытовая техника при эксплуатации может принимать исправное и неисправное состояние, а также работоспособное и неработоспособное состояние. Показана взаимосвязь видов технических состояний в виде графа переходов технических состояний, позволяющий проводить технологию восстановления работоспособности техники. Определен порядок восстановления бытовой техники и сформулирован критерий отказа техники. Рассмотрены признаки восстановления бытовой техники по отношению к восстанавливаемой и невосстанавливаемой техники. Показано, что к невосстанавливаемой технике относится техника, нахоящаяся в предельном состоянии или в результате ресурсного отказа. Рассмотрены признаки предельного состояния для восстанавливаемой и невосстанавливаемой техники.
...
01 03 2026 18:33:42
Статья в формате PDF
301 KB...
28 02 2026 8:14:59
Статья в формате PDF
121 KB...
27 02 2026 2:43:40
Статья в формате PDF
131 KB...
26 02 2026 3:23:37
Статья в формате PDF
339 KB...
25 02 2026 16:24:57
Статья в формате PDF
266 KB...
24 02 2026 7:21:19
Статья в формате PDF
98 KB...
23 02 2026 4:49:47
Статья в формате PDF
125 KB...
22 02 2026 6:31:36
Статья в формате PDF
281 KB...
21 02 2026 7:32:23
Статья в формате PDF
112 KB...
20 02 2026 8:43:12
Статья в формате PDF
124 KB...
19 02 2026 20:43:49
Статья в формате PDF
173 KB...
18 02 2026 12:51:52
Статья в формате PDF
286 KB...
17 02 2026 16:24:26
Статья в формате PDF
92 KB...
16 02 2026 23:34:15
Статья в формате PDF
100 KB...
15 02 2026 8:30:11
В лаборатории биохимии ФГУН «РНЦ «ВТО» им. акад. Г. А. Илизарова Росздрава» разработаны имплантационные материалы на основе кальцийфосфатных соединений, выделенных из костной ткани крупного рогатого скота. Технология получения материалов для имплантации включает в себя деминерализацию костной ткани с применением хлороводородной кислоты, осаждение из раствора кальцийфосфатных соединений, их очистку, высушивание и измельчение.
Изучен качественный и количественный состав полученных материалов с применением сканирующей электронной микроскопии, инфpaкрасной спектроскопии и метода рентгеновского электронно-зондового микроанализа. Установлено, что материалы представляют собой порошкообразные смеси с включениями гранул диаметром от 100 до 2000 мкм. В состав материалов входят остеотропные элементы кальций, фосфор, магний, сера, которые однородно распределены в материале.
...
14 02 2026 20:48:45
Статья в формате PDF
129 KB...
13 02 2026 8:49:57
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::
