ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР
Перед современной микроэлектроникой стоят проблемы повышения степени интеграции, уменьшения потрeбляемой мощности и размеров элементов разpaбатываемых интегральных схем (ИС), поэтому важно знать физические ограничения, накладываемые на процессы их изготовления. В связи с этим проблема исследования технологических процессов и предельных параметров при изготовлении ИС является важной и актуальной.
Для выявления физических ограничений и выработки требований к материалам, на основе которых изготавливаются ИС, были изучены физические основы таких процессов изготовления ИС, как оксидирование, литография, диффузия примесей и эпитаксия; проведены экспериментальные исследования образцов эпитаксиальных структур, на основе которых изготавливают ИС и оценочные расчёты предельных параметров процессов изготовления ИС.
Исследование процесса окисления кремниевых пластинок показало, что для выращивания пленок в атмосфере сухого кислорода, имеющих более совершенную структуру, требуются значительной затраты времени. Быстрее происходит выращивание пленки во влажном кислороде, но эти пленки получаются пористыми, с проколами. Поэтому наиболее выгодно использовать комбинированный метод окисления, который сочетает в себе преимущества этих двух методов, пленки получаются прочные, нужной толщины (от 0,2 до 1,2 мкм) за оптимальный промежуток времени.
В связи с этим одним из основных параметров SiO2 является величина напряжения, при котором наступает пробой. Зондовым методом определили значение пробивного поля окисной пленки, получили примерно 0,4 МВ*см-1, что соответствует пробою в дефектном месте.
При фотолитографии по ряду причин существует ограничение на минимальный размер изображении, которое можно получить этим методом. Проведенная оценка теоретического предела минимального размера изображения, получаемого при различных видах литографии показывает, что рентгенолитография отличается большей разрешающей способностью, чем фотолитография. Получили, что λ=300 нм теоретически можем получить линию толщиной 0,2 мкм. Сегодня осуществляется переход к EUV-литографии (λ=13 нм), что делает возможной печать линий гораздо меньшей ширины - до 30 нм.
Статья в формате PDF
114 KB...
12 04 2026 2:12:40
Статья в формате PDF
111 KB...
11 04 2026 19:34:55
Статья в формате PDF
244 KB...
10 04 2026 11:16:24
Статья в формате PDF
251 KB...
09 04 2026 8:43:35
Статья в формате PDF
100 KB...
08 04 2026 15:43:47
Статья в формате PDF
112 KB...
07 04 2026 19:34:21
Статья в формате PDF
103 KB...
06 04 2026 2:44:59
Статья в формате PDF
131 KB...
05 04 2026 8:26:16
Статья в формате PDF
116 KB...
04 04 2026 21:28:31
Статья в формате PDF
120 KB...
03 04 2026 3:15:35
Статья в формате PDF
193 KB...
02 04 2026 11:24:42
Статья в формате PDF
122 KB...
01 04 2026 5:22:49
Статья в формате PDF 115 KB...
31 03 2026 10:16:39
Статья в формате PDF
101 KB...
30 03 2026 14:51:53
Статья в формате PDF
138 KB...
29 03 2026 1:16:20
Статья в формате PDF
300 KB...
28 03 2026 10:24:26
В работе приведены результаты анализа степеней сингемеробии парциальных флор Якутии в разрезе флористических районов. Отмечается роль географических факторов в формировании групп районов, объединенных по степени сингемеробии флор крупных геоботанических типов.
...
27 03 2026 14:33:44
Статья в формате PDF 112 KB...
25 03 2026 10:40:31
Статья в формате PDF
262 KB...
24 03 2026 12:54:31
Статья в формате PDF
104 KB...
22 03 2026 6:57:41
Статья в формате PDF
240 KB...
21 03 2026 18:58:12
Статья в формате PDF
126 KB...
20 03 2026 12:19:26
Статья в формате PDF
220 KB...
18 03 2026 7:46:16
Представлен экспериментальный вариант физического воспитания младших школьников в образовательных учреждениях с целью предупреждения негативных последствий воздействия чрезмерной учебной нагрузки на организм школьников. Использование в процессе физического воспитания изометрических упражнений, включенных в уроки физической культуры, показало увеличение статической выносливости на фоне улучшения функционального состояния младших школьников.
...
17 03 2026 1:21:39
Статья в формате PDF
256 KB...
16 03 2026 2:10:43
Статья в формате PDF
131 KB...
15 03 2026 20:44:55
Статья в формате PDF
196 KB...
14 03 2026 12:47:29
Статья в формате PDF
129 KB...
13 03 2026 4:34:56
Статья в формате PDF
113 KB...
12 03 2026 22:12:55
Статья в формате PDF
129 KB...
11 03 2026 11:37:40
Статья в формате PDF
147 KB...
10 03 2026 10:19:10
Статья в формате PDF
179 KB...
09 03 2026 1:25:47
Статья в формате PDF
103 KB...
08 03 2026 11:37:30
Статья в формате PDF
119 KB...
07 03 2026 19:55:49
Статья в формате PDF
102 KB...
06 03 2026 0:43:48
Статья в формате PDF
98 KB...
05 03 2026 19:27:58
Статья в формате PDF
99 KB...
04 03 2026 22:41:58
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::
