ВЫСОКОЧИСТЫЙ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ КАК БАЗОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГЕТИКИ

Среди путей решения экологических проблем, связанных с истощением запасов органического топлива, важное место занимает направление, базирующееся на прямом преобразовании солнечной энергии в электрическую при помощи солнечных батарей. Такой путь решения энергетической проблемы весьма привлекателен его экологической чистотой, использованием пpaктически неиссякаемого источника энергии, отсутствием длительных циклов нагрева и вращающихся механизмов.
Во многих странах активно ведутся работы по развитию производства преобразователей солнечной энергии на основе кремния «солнечного» качества как материала, благоприятного для получения фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) по своим физико-химическим свойствам и высокому уровню современной технологии его производства. Однако развитие данного направления сдерживается высокой себестоимостью получаемой трихлорсилановым способом единицы мощности по сравнению с традиционными источниками энергии.
Нами ведутся разработка технологии получения кремния для ФЭП карботермическим восстановлением высокочистого кварцсодержащего сырья в руднотермических печах с последующим рафинированием в ковше и выращиванием мультикремния по методу Стогбаргера (направленная кристаллизация) с одновременной очисткой от ряда примесей и получением оптимальных электрофизических параметров образцов.
С целью исследования связи структуры мультикристаллического кремния с его электрофизическими свойствами были проведены эксперименты на материале, полученном на ЗАО "Кремний" (г. Шелехов Иркутской обл.). В качестве рудного сырья использовались кварцит Черемшанского месторождения, восстановителем служит смесь углеродистых материалов - древесный уголь, нефтекокс, каменный уголь и древесная щепа. Рафинирование в ковше осуществлялось продувкой воздухом.
Направленную кристаллизацию (одно-, двух- и в ряде случаев трехкратную) осуществляли в тепловом узле с вертикальной компановкой в вакууме в тигле из стеклоуглерода. Структуру кремния изучали при продольной и поперечной к межзеренным границам распиловке слитков. Исследование электрофизических свойств (тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация и подвижность неосновных носителей заряда) проводили сканирующим образом по всей поверхности кристаллов.
При исследованиях показателей электрофизических свойств вдоль и поперек межзеренных границ зарегистрированы отклонения удельного сопротивления, подвижности и концентрации неосновных носителей заряда.
Результаты исследований свидетельствуют о высокой чувствительности структуры кристалла от примесной чистоты металлургического кремния, хаpaктеристик теплового поля и скорости роста мультикремния.
[1] Работа выполнена в рамках аналитической ведомственной целевой программы «Развитие научного потенциала высшей школы» (2006-2008 гг.)
Статья в формате PDF
120 KB...
08 03 2026 19:59:32
Статья в формате PDF
204 KB...
07 03 2026 14:49:30
Статья в формате PDF
107 KB...
06 03 2026 17:22:21
Статья в формате PDF
661 KB...
05 03 2026 15:32:45
Статья в формате PDF
351 KB...
04 03 2026 14:43:38
Статья в формате PDF
104 KB...
03 03 2026 16:43:43
Статья в формате PDF
105 KB...
02 03 2026 1:48:27
Статья в формате PDF
131 KB...
01 03 2026 3:46:41
Статья в формате PDF
113 KB...
28 02 2026 16:15:57
Статья в формате PDF
420 KB...
27 02 2026 13:32:39
Статья в формате PDF
278 KB...
25 02 2026 11:57:53
Статья в формате PDF
121 KB...
24 02 2026 18:48:10
Статья в формате PDF
137 KB...
23 02 2026 11:27:19
Статья в формате PDF
120 KB...
22 02 2026 14:27:10
Исследуется динамика причин cмepтности от сахарного диабета за период с 2000 по 2005гг по материалам отделения эндокринологии МУЗ ГКБ №3 им. С.М.Кирова. За исследуемый период наблюдалось снижение cмepтности от сахарного диабета. Непосредственными причинами cмepти от сахарного диабета послужили: диабетическая кома, гипогликемическая кома, хроническая почечная недостаточность (ХПН), гангрена, осложненная сепсисом. Наиболее частой причиной cмepти от СД в течение всего периода исследования являлась гангрена, осложненная сепсисом.
...
21 02 2026 5:16:19
Статья в формате PDF
113 KB...
20 02 2026 13:24:42
Статья в формате PDF
102 KB...
19 02 2026 16:40:43
С помощью элементарных методов комбинаторной математики и единственности решений систем линейных алгебраических уравнений для невырожденных случаев доказана теорема о количестве и структуре особых точек n–мерной динамической системы популяционной динамики Лотки-Вольтерра. Показано, что количество особых точек для этой системы равняется 2n, а их структура в отношении сочетания нулевых и ненулевых координат совпадает с биноминальными коэффициентами. Сделано предположение, что с помощью этой динамической системы можно моделировать конкурентные взаимодействия среди n научных фронтов в рамках широкой области научных исследований.
...
18 02 2026 19:19:47
Статья в формате PDF
120 KB...
17 02 2026 16:21:55
Статья в формате PDF
123 KB...
16 02 2026 3:28:22
Статья в формате PDF
180 KB...
15 02 2026 19:47:17
Статья в формате PDF
263 KB...
14 02 2026 3:34:52
Статья в формате PDF
102 KB...
13 02 2026 1:36:54
Статья в формате PDF
113 KB...
12 02 2026 15:56:51
Статья в формате PDF 111 KB...
11 02 2026 17:46:54
Статья в формате PDF
277 KB...
10 02 2026 6:15:51
Статья в формате PDF
129 KB...
09 02 2026 7:18:40
Статья в формате PDF
110 KB...
08 02 2026 18:16:34
Лимфатическая система с момента закладки является частью единой сердечно-сосудистой системы и образуется в эмбриогенезе путем выключения части первичных вен и их притоков с эндотелиальными стенками из кровотока. Неравномерный рост первичного лимфатического русла с эндотелиальными стенками, в т.ч. путем его частичной магистрализации и редукции, лежит в основе морфогенеза вариабельной дефинитивной лимфатической системы у плодов в прямой связи с закладкой лимфатических узлов.
...
07 02 2026 5:29:14
Статья в формате PDF
106 KB...
06 02 2026 0:16:25
Статья в формате PDF
111 KB...
05 02 2026 3:18:51
Статья в формате PDF
306 KB...
04 02 2026 20:56:25
03 02 2026 10:52:45
Статья в формате PDF
268 KB...
02 02 2026 3:10:11
Статья в формате PDF
105 KB...
01 02 2026 18:32:20
Статья в формате PDF
1728 KB...
31 01 2026 10:58:28
Статья в формате PDF
109 KB...
29 01 2026 22:43:33
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::