МЕТОД КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ И ЕГО ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ

Один из подходов к проблеме - метод поиска информативных параметров, пригодных для определения индивидуальных технических свойств указанных устройств и его пpaктическое применение к устройствам SMD-технологии (технологии монтажа на поверхность). Ядром метода является «двухуровневая» модель информативных параметров.
Прежде всего, необходимо выбрать информативные параметры (ИП) первого уровня - реальные параметры электрической природы. Основными условиями и ограничениями при выборе ИП первого уровня являются: использование только неразрушающих методов контроля, возможность оценки технического состояния устройств по мгновенным значениям информативных параметров, инвариантность относительно технологии и функционального назначения объекта контроля (ОК), возможность по числовым величинам ИП различать ОК в смысле уровня дефектности. Определен принцип оптимальности, за который предложено принять определение идеального информативного параметра, т.е. параметра, принимающий одно значение (например, 0), если ОК потенциально ненадежен, и другое значение (например, 1), если ОК надежен.
Реальные ИП первого уровня обладают рядом отрицательных свойств, главные из которых - зависимость от режимов измерений и от условий внешней среды.
ИП второго уровня формируется на основе выполнения условия об обеспечении ослабления отрицательных свойств ИП первого уровня. В работе предлагается использовать сами "отрицательные" свойства в качестве ИП, например, если параметр сильно зависит от температуры окружающей среды, то в качестве информативной хаpaктеристики второго уровня можно выбрать изменения ИП первого уровня под воздействием температурных нагрузок на ОК.
ИП первого уровня могут также зависеть, например, от частоты тестовых воздействий и от электрических режимов. При этом в качестве ИП второго уровня можно рассматривать хаpaктер зависимости ИП первого уровня от частоты или других режимов контроля.
Таким образом, параметры второго уровня отражают зависимости ИП первого уровня от приложенных к ОК внешних нагрузок, вызванных условиями измерения или внешними случайными воздействиями в условиях эксплуатации.
Для проверки и подтверждения представленных теоретических результатов был разработан информационно-измерительный комплекс. В качестве ИП первого уровня использовались критическое питающее напряжение (КПН) - минимальное напряжение питания, при котором ОК сохраняет функциональную работоспособность.
Пpaктическое применение метода к устройствам SMD-технологии
Во-первых, компоненты для поверхностного монтажа выдерживают высокие температуры, что дает возможность применять более мощные тестовые воздействия. Во-вторых, уже в ходе сборки устройство в целом претерпевает серьезный тепловой удар при пайке в конвекционной или инфpaкрасной печи, последствия которого могут служить информативными параметрами для контроля. Естественно, при этом надо иметь информацию о реальных параметрах компонентов до сборки. Применительно к использованию КПН информативным будет прежде всего изменение этого параметра, происшедшее вследствие теплового удара. Кроме того, информативными являются и гистерезисные явления в температурных зависимостях ИП первого уровня при термоциклировании. В нашем случае в качестве ИП второго уровня термодинамической природы используется площадь петли гистерезиса зависимости КПН каждой ИС, составляющих ОК, от напряжения на одном из прямосмещенных p-n переходов, содержащемся в этой ИС (последний параметр пропорционален температуре кристалла).
Теоретические и пpaктические результаты, полученные с использованием предложенного метода, позволяют в качестве ИП первого и второго уровня использовать и другие параметры, что, конечно, потребует создания других аппаратных средств.
Статья в формате PDF
261 KB...
01 11 2026 6:11:35
Статья в формате PDF
105 KB...
31 10 2026 22:21:16
Статья в формате PDF
106 KB...
30 10 2026 2:29:16
Статья в формате PDF
123 KB...
29 10 2026 16:42:34
Статья в формате PDF
227 KB...
28 10 2026 2:23:26
Статья в формате PDF
140 KB...
27 10 2026 21:22:16
25 10 2026 19:12:56
Статья в формате PDF
105 KB...
24 10 2026 23:34:35
Статья в формате PDF
267 KB...
23 10 2026 0:19:28
Статья в формате PDF
117 KB...
22 10 2026 21:14:24
Статья в формате PDF
116 KB...
21 10 2026 5:33:26
Статья в формате PDF
119 KB...
20 10 2026 16:20:49
Статья в формате PDF
199 KB...
19 10 2026 9:27:27
18 10 2026 11:51:54
Статья в формате PDF
114 KB...
15 10 2026 21:45:31
Статья в формате PDF
115 KB...
14 10 2026 9:56:34
Статья в формате PDF
130 KB...
12 10 2026 0:39:25
Статья в формате PDF
120 KB...
11 10 2026 20:42:30
Статья в формате PDF
361 KB...
10 10 2026 5:14:23
Статья в формате PDF
121 KB...
09 10 2026 4:34:13
Статья в формате PDF
187 KB...
08 10 2026 4:49:35
Статья в формате PDF
113 KB...
07 10 2026 7:51:52
Статья в формате PDF
114 KB...
06 10 2026 1:14:43
Статья в формате PDF
117 KB...
05 10 2026 7:53:21
Статья в формате PDF
263 KB...
04 10 2026 18:58:55
Статья в формате PDF
111 KB...
02 10 2026 7:12:51
Статья в формате PDF
180 KB...
01 10 2026 10:34:29
Выявлены особенности распределения Mn в породах, почвах, в дикорастущей растительности, в кормовой и плодово-овощной растительности агроландшафтов и в растительности колчеданных месторождений.
...
30 09 2026 16:10:52
Статья в формате PDF
131 KB...
29 09 2026 8:48:42
Статья в формате PDF
120 KB...
28 09 2026 18:56:37
Статья в формате PDF
111 KB...
27 09 2026 14:18:23
Статья в формате PDF
135 KB...
26 09 2026 1:33:16
Статья в формате PDF
261 KB...
25 09 2026 6:32:22
Статья в формате PDF
120 KB...
24 09 2026 16:13:35
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::