МЕТОД КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ И ЕГО ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ

Один из подходов к проблеме - метод поиска информативных параметров, пригодных для определения индивидуальных технических свойств указанных устройств и его пpaктическое применение к устройствам SMD-технологии (технологии монтажа на поверхность). Ядром метода является «двухуровневая» модель информативных параметров.
Прежде всего, необходимо выбрать информативные параметры (ИП) первого уровня - реальные параметры электрической природы. Основными условиями и ограничениями при выборе ИП первого уровня являются: использование только неразрушающих методов контроля, возможность оценки технического состояния устройств по мгновенным значениям информативных параметров, инвариантность относительно технологии и функционального назначения объекта контроля (ОК), возможность по числовым величинам ИП различать ОК в смысле уровня дефектности. Определен принцип оптимальности, за который предложено принять определение идеального информативного параметра, т.е. параметра, принимающий одно значение (например, 0), если ОК потенциально ненадежен, и другое значение (например, 1), если ОК надежен.
Реальные ИП первого уровня обладают рядом отрицательных свойств, главные из которых - зависимость от режимов измерений и от условий внешней среды.
ИП второго уровня формируется на основе выполнения условия об обеспечении ослабления отрицательных свойств ИП первого уровня. В работе предлагается использовать сами "отрицательные" свойства в качестве ИП, например, если параметр сильно зависит от температуры окружающей среды, то в качестве информативной хаpaктеристики второго уровня можно выбрать изменения ИП первого уровня под воздействием температурных нагрузок на ОК.
ИП первого уровня могут также зависеть, например, от частоты тестовых воздействий и от электрических режимов. При этом в качестве ИП второго уровня можно рассматривать хаpaктер зависимости ИП первого уровня от частоты или других режимов контроля.
Таким образом, параметры второго уровня отражают зависимости ИП первого уровня от приложенных к ОК внешних нагрузок, вызванных условиями измерения или внешними случайными воздействиями в условиях эксплуатации.
Для проверки и подтверждения представленных теоретических результатов был разработан информационно-измерительный комплекс. В качестве ИП первого уровня использовались критическое питающее напряжение (КПН) - минимальное напряжение питания, при котором ОК сохраняет функциональную работоспособность.
Пpaктическое применение метода к устройствам SMD-технологии
Во-первых, компоненты для поверхностного монтажа выдерживают высокие температуры, что дает возможность применять более мощные тестовые воздействия. Во-вторых, уже в ходе сборки устройство в целом претерпевает серьезный тепловой удар при пайке в конвекционной или инфpaкрасной печи, последствия которого могут служить информативными параметрами для контроля. Естественно, при этом надо иметь информацию о реальных параметрах компонентов до сборки. Применительно к использованию КПН информативным будет прежде всего изменение этого параметра, происшедшее вследствие теплового удара. Кроме того, информативными являются и гистерезисные явления в температурных зависимостях ИП первого уровня при термоциклировании. В нашем случае в качестве ИП второго уровня термодинамической природы используется площадь петли гистерезиса зависимости КПН каждой ИС, составляющих ОК, от напряжения на одном из прямосмещенных p-n переходов, содержащемся в этой ИС (последний параметр пропорционален температуре кристалла).
Теоретические и пpaктические результаты, полученные с использованием предложенного метода, позволяют в качестве ИП первого и второго уровня использовать и другие параметры, что, конечно, потребует создания других аппаратных средств.
Статья в формате PDF
113 KB...
11 08 2026 14:38:32
Статья в формате PDF
151 KB...
10 08 2026 12:15:39
Статья в формате PDF
128 KB...
09 08 2026 7:16:46
Статья в формате PDF
276 KB...
08 08 2026 13:33:40
Статья в формате PDF
148 KB...
07 08 2026 13:10:22
Статья в формате PDF
144 KB...
05 08 2026 11:29:51
Статья в формате PDF
111 KB...
04 08 2026 20:41:18
Приведены данные по распространению элементов платиновой группы (ЭПГ) в офиолитах Салаира, Алтая и Горной Шории. ЭПГ в наибольших концентрациях отмечены в проявлениях хромитов, образующих подиформные залежи, а также в никелевых проявлениях с обильными сульфидами меди, никеля и кобальта. Минералы ЭПГ представлены изоферроплатиной, иридосмином и рутениридосмином. Реже встречаются самородная платина, рутениевый невъянскит и рутениевый сысерскит. В рудных телах также присутствуют в повышенных концентрациях золото и серебро. Состав минеральных фаз платиноидов указывает на близость к восточно-уральскому геолого-промышленному типу, связанному с изверженными породами габбро-клинопироксенит-перидотитовой формации.
...
03 08 2026 11:38:16
02 08 2026 2:16:17
Статья в формате PDF
297 KB...
01 08 2026 5:28:21
31 07 2026 22:47:44
Статья в формате PDF
128 KB...
30 07 2026 19:44:36
29 07 2026 5:40:13
Проводился анализ изменений биоэлектрической активности головного мозга и сверхмедленной активности в нервной, дыхательной и сердечно-сосудистой системах в процессе адаптивного биоуправления с биологической обратной связью по параметрам церебральной гемодинамики и медитации. Осуществлялась регистрация сверхмедленной активности нервной и сердечно-сосудистой систем и локализация биоэлектрической активности нервной системы. Выявлено вовлечение различных мозговых структур в реализацию поведенческих стратегий в группах обучившихся различным видам самоуправления, что говорит о различии механизмов достижения конечного результата. Полученные результаты свидетельствуют о вовлечении кардиореспираторной синхронизации в изменение биоэлектрической активности только при релаксации с помощью адаптивного биоуправления. Осуществлена проверка резонансной гипотезы релаксации, согласно которой при совпадении частот изменения дыхания, биоэлектрической активности мозга, сердечного ритма и сосудистого тонуса происходит усиление активности в вовлекаемых в резонансный ответ структурах.
...
28 07 2026 7:56:39
Статья в формате PDF
129 KB...
27 07 2026 3:18:44
Статья в формате PDF
110 KB...
25 07 2026 23:52:46
Статья в формате PDF
100 KB...
24 07 2026 7:59:30
Статья в формате PDF
252 KB...
23 07 2026 10:50:38
Статья в формате PDF
137 KB...
22 07 2026 11:37:11
Статья в формате PDF
118 KB...
21 07 2026 11:42:55
В течение продолжительного времени проводились триботехнические испытания различных термодиффузионных покрытий на изнашивание при трении скольжения. Они позволили сделать ряд принципиальных обобщений по взаимообусловленности структурного состояния покрытий и кинетики процессов износа.
В результате моделирования фрикционных процессов широкого класса материалов было получено эмпирическое уравнение для коэффициента трения, отражающее параметрическое влияние свойств материала покрытий, реологию поверхностного трения и свойство смaзoчного материала.
...
20 07 2026 23:58:49
Статья в формате PDF
132 KB...
19 07 2026 11:45:55
Статья в формате PDF
111 KB...
17 07 2026 7:49:41
Статья в формате PDF
103 KB...
16 07 2026 12:45:44
Статья в формате PDF
312 KB...
15 07 2026 22:18:54
Статья в формате PDF
119 KB...
14 07 2026 12:55:57
Статья в формате PDF
107 KB...
13 07 2026 21:41:26
Статья в формате PDF
251 KB...
12 07 2026 23:48:18
Статья в формате PDF
329 KB...
11 07 2026 12:30:29
Статья в формате PDF
109 KB...
10 07 2026 8:12:22
Статья в формате PDF
224 KB...
09 07 2026 10:49:28
Обсуждается проблемы разбиения и структурирования прострaнcтва, формирования структурных модулей, которые предназначены для конструирования модульных 3D структур кристаллов.
...
08 07 2026 2:50:12
Статья в формате PDF
143 KB...
07 07 2026 10:24:46
При моделировании микроускорений возникает вопрос о функции распределения этой величины. В работе исследуется статистическая функция распределения микроускорений внутри космического аппарата, имеющего большие упругие элементы, после выключения управляющих paкетных двигателей.
...
06 07 2026 22:52:27
Статья в формате PDF
115 KB...
05 07 2026 6:18:35
Статья в формате PDF
180 KB...
04 07 2026 17:43:43
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::