МЕТОД КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ И ЕГО ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
Один из подходов к проблеме - метод поиска информативных параметров, пригодных для определения индивидуальных технических свойств указанных устройств и его пpaктическое применение к устройствам SMD-технологии (технологии монтажа на поверхность). Ядром метода является «двухуровневая» модель информативных параметров.
Прежде всего, необходимо выбрать информативные параметры (ИП) первого уровня - реальные параметры электрической природы. Основными условиями и ограничениями при выборе ИП первого уровня являются: использование только неразрушающих методов контроля, возможность оценки технического состояния устройств по мгновенным значениям информативных параметров, инвариантность относительно технологии и функционального назначения объекта контроля (ОК), возможность по числовым величинам ИП различать ОК в смысле уровня дефектности. Определен принцип оптимальности, за который предложено принять определение идеального информативного параметра, т.е. параметра, принимающий одно значение (например, 0), если ОК потенциально ненадежен, и другое значение (например, 1), если ОК надежен.
Реальные ИП первого уровня обладают рядом отрицательных свойств, главные из которых - зависимость от режимов измерений и от условий внешней среды.
ИП второго уровня формируется на основе выполнения условия об обеспечении ослабления отрицательных свойств ИП первого уровня. В работе предлагается использовать сами "отрицательные" свойства в качестве ИП, например, если параметр сильно зависит от температуры окружающей среды, то в качестве информативной хаpaктеристики второго уровня можно выбрать изменения ИП первого уровня под воздействием температурных нагрузок на ОК.
ИП первого уровня могут также зависеть, например, от частоты тестовых воздействий и от электрических режимов. При этом в качестве ИП второго уровня можно рассматривать хаpaктер зависимости ИП первого уровня от частоты или других режимов контроля.
Таким образом, параметры второго уровня отражают зависимости ИП первого уровня от приложенных к ОК внешних нагрузок, вызванных условиями измерения или внешними случайными воздействиями в условиях эксплуатации.
Для проверки и подтверждения представленных теоретических результатов был разработан информационно-измерительный комплекс. В качестве ИП первого уровня использовались критическое питающее напряжение (КПН) - минимальное напряжение питания, при котором ОК сохраняет функциональную работоспособность.
Пpaктическое применение метода к устройствам SMD-технологии
Во-первых, компоненты для поверхностного монтажа выдерживают высокие температуры, что дает возможность применять более мощные тестовые воздействия. Во-вторых, уже в ходе сборки устройство в целом претерпевает серьезный тепловой удар при пайке в конвекционной или инфpaкрасной печи, последствия которого могут служить информативными параметрами для контроля. Естественно, при этом надо иметь информацию о реальных параметрах компонентов до сборки. Применительно к использованию КПН информативным будет прежде всего изменение этого параметра, происшедшее вследствие теплового удара. Кроме того, информативными являются и гистерезисные явления в температурных зависимостях ИП первого уровня при термоциклировании. В нашем случае в качестве ИП второго уровня термодинамической природы используется площадь петли гистерезиса зависимости КПН каждой ИС, составляющих ОК, от напряжения на одном из прямосмещенных p-n переходов, содержащемся в этой ИС (последний параметр пропорционален температуре кристалла).
Теоретические и пpaктические результаты, полученные с использованием предложенного метода, позволяют в качестве ИП первого и второго уровня использовать и другие параметры, что, конечно, потребует создания других аппаратных средств.
Статья в формате PDF
119 KB...
24 03 2026 13:30:42
Статья в формате PDF
120 KB...
23 03 2026 19:43:22
Статья в формате PDF
181 KB...
22 03 2026 2:37:55
Статья в формате PDF
125 KB...
21 03 2026 11:17:16
Статья в формате PDF
240 KB...
20 03 2026 21:32:37
Статья в формате PDF
122 KB...
19 03 2026 21:41:41
Статья в формате PDF
306 KB...
17 03 2026 7:42:32
Реформы в образовании ума человека происходят всегда до новых циклов экономического возрождения из кризисов. Это запаздывание весьма большое у России. В развитых странах цикл реформ в образовании начинается за 3–5 лет до начала экономических реформ. Но в России долго запрягают, а потом несутся напролом, на авось. Поэтому колебательное возмущение мнений экспертов превалирует над постоянством, – менталитет очень неровный. Предлагается принципиально новая методика, основанная на анализе устойчивых закономерностей с волновыми составляющими и полученная по конкретным экспертным оценкам. Цель статьи – кратко показать возможности методологии идентификации свойств поведения у групп экспертов, как неких условных популяций много знающих и оценивающих людей, а также привести критерии поведенческой динамики по тем или иным экспертным оценкам об интернационализации российского образования.
...
15 03 2026 12:10:33
Статья в формате PDF
161 KB...
13 03 2026 2:52:42
Статья в формате PDF
104 KB...
12 03 2026 14:19:49
Статья в формате PDF
299 KB...
10 03 2026 3:37:32
Статья в формате PDF
332 KB...
09 03 2026 1:46:49
Статья в формате PDF
98 KB...
08 03 2026 16:30:56
Статья в формате PDF
100 KB...
07 03 2026 23:50:28
Статья в формате PDF
117 KB...
06 03 2026 10:36:10
Статья в формате PDF
250 KB...
05 03 2026 11:35:25
Статья в формате PDF
105 KB...
03 03 2026 17:55:28
С использованием метода газоразрядной визуализации (ГРВ) проведено исследование секретов околоушных, подчелюстных и подъязычных больших слюнных желез у 20 больных 2 типом сахарного диабета и 14 пpaктически здоровых людей. Выявлено, что параметры ГРВ-грамм секретов больших слюнных желез у пациентов с сахарным диабетом существенно ниже, чем у относительно здоровых лиц (p ...
02 03 2026 13:49:29
Статья в формате PDF
118 KB...
01 03 2026 5:34:36
Статья в формате PDF
123 KB...
28 02 2026 12:31:45
Статья в формате PDF
121 KB...
27 02 2026 9:38:45
Статья в формате PDF
210 KB...
26 02 2026 21:37:55
Статья в формате PDF
119 KB...
25 02 2026 5:11:59
Статья в формате PDF
97 KB...
24 02 2026 12:30:56
Статья в формате PDF
202 KB...
23 02 2026 18:32:37
Статья в формате PDF
114 KB...
22 02 2026 7:26:11
Статья в формате PDF
155 KB...
21 02 2026 14:31:44
В статье представлены различные классификации систем антиоксидантной защиты клеток, в частности, проанализирована возможность 5 уровней защиты клеток от свободнорадикального окисления в интерпретации разных авторов. Дана классификация антиоксидантов с точки зрения их химической природы, молекулярной массы, гидрофильности и гидрофобности, особенностей молекулярно - клеточных механизмов инактивации свободных радикалов.
...
20 02 2026 4:27:52
Статья в формате PDF 360 KB...
19 02 2026 8:37:12
Статья в формате PDF
129 KB...
18 02 2026 20:56:48
Статья в формате PDF
278 KB...
17 02 2026 3:40:27
Статья в формате PDF
90 KB...
16 02 2026 10:15:38
Статья в формате PDF
129 KB...
14 02 2026 17:40:33
Статья в формате PDF
124 KB...
13 02 2026 0:31:45
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::
