СВЕТОДИОДНЫЙ СВЕТИЛЬНИК РАВНОМЕРНОГО ОСВЕЩЕНИЯ
Светодиодные светильники имеют симметричную диаграмму направленности светового потока с максимумом силы света на оптической оси светильника, поэтому по мере удаления от оси освещенность поверхности уменьшается по двум причинам: пропорционально квадрату расстояния от светильника до поверхности и за счет уменьшения силы света, в соответствии с диаграммой направленности светильника. Это создает дискомфорт при перемещении или работе в помещении и увеличивает время адаптации к освещению.
Решение задачи заключается в достижении равномерного освещения рабочей поверхности путем изменения конструкции корпуса светильника. Поскольку для обеспечения равномерной освещенности необходимо в идеале, чтобы сила света в направлении любого участка рабочей поверхности была пропорциональна квадрату расстояния до этой поверхности, поэтому формирование необходимой диаграммы направленности производят следующим образом. Оптические оси светодиодов, установленных на образующих, находятся в плоскостях, повернутых относительно друг друга на 120º, что позволяет при использовании светодиодов с диаграммой направленности типа «Ламбертиан» и углом излучения на уровне 0,5·Imax, 2θ = 120º получить концентрические поверхности равной силы света, где Imax - максимальное значение силы света. Положение этих поверхностей в прострaнcтве определяет величина телесного угла прострaнcтвенного конуса.Устройство светильника представлено на рис. 1.
Светильник состоит из корпуса 1 выполненного в виде усеченного конуса, основания 2, 3 которого соединяют три образующие 4 прямоугольного сечения. На внешнюю обработанную поверхность образующих 4 устанавливают платы 5 с светодиодами 6, оптические оси которых перпендикулярны плоскости соответствующей платы. На каждую образующую 4 над платами 5 устанавливают противоударное стекло 7, выполненное, например, из оптического поликарбоната в форме полуцилиндра, усеченного вдоль, которое защищает от воздействия внешней среды светодиоды 6. На внутренней поверхности корпуса 1 установлены платы преобразователей, а на наружную поверхность меньшего основания 3 установлена плата с датчиками 8, закрытая противоударным стеклом 9.
Рис. 1
Основания конуса 2 и 3 выполнены в виде колец разного диаметра. На большем основании 2 на наружной поверхности выполнено оребрение для увеличения поверхности корпуса, который одновременно является охладителем для светодиодов. Корпус 1 может быть изготовлен методом точного литья из алюминия.
Формирование диаграммы направленности излучения светильника происходит следующим образом. Светодиоды 6, установленные на платах 5, образуют суммарный световой поток. Поскольку платы 5 установлены на наружные поверхности образующих 4, то и суммарные диаграммы направленности светодиодов, установленных на них, соответственно будут ориентированы в прострaнcтве под углом 120º. Причем пересечение диаграмм происходит по уровню близкому к 0,5·Imax.
Рис. 2
Результирующая диаграмма направленности излучения светильника примет форму, изображенную на рис. 2, по оси абсцисс которой откладываем расстояние R от оптической оси светильника до освещаемой точки при высоте подвеса светильника 4 м, а по оси ординат откладываем в относительных единицах значение силы света I/Imax и величину освещенности Е/Emax. Освещенность Е, в соответствии с диаграммой, имеет равномерный участок в пределах рабочей поверхности с радиусом R ≈ 5 м. При этом телесный угол, опирающийся на эту поверхность, составляет около 100º. Изменяя высоту подвеса светильника, телесный угол светового потока не меняется, а изменяются соответственно величина Е освещенности рабочей поверхности и освещаемая площадь, а именно, при увеличении высоты освещенность снизится, а освещаемая площадь - увеличится.
Статья в формате PDF
172 KB...
31 10 2026 19:44:17
Статья в формате PDF
135 KB...
29 10 2026 7:40:33
Статья в формате PDF
170 KB...
28 10 2026 16:26:37
Статья в формате PDF
341 KB...
27 10 2026 4:37:51
Рассматриваются показатели всхожести семян и частота встречаемости патологий митоза проростков лука-батуна (Allium fistulosum. L.), выращенных на почвенных пробах, отобранных на территории Западной Якутии в природных биотопах и в зоне воздействия предприятий горнодобывающей промышленности. Проанализировано 97 проб почвы, 35 000 клеток. Выявлено снижение всхожести семян и повышение показателя мутагенной активности почв на территории, загрязненной в результате деятельности алмaзoдобывающей промышленности и разведки месторождений углеводородного сырья в зоне воздействия всех обследованных предприятий. Это свидетельствует о нарушении цитогенетического гомеостаза вследствие комплексного воздействия негативных факторов антропогенно преобразованной среды.
...
26 10 2026 23:13:27
Статья в формате PDF
98 KB...
25 10 2026 6:30:47
Статья в формате PDF
316 KB...
24 10 2026 17:45:49
Рассмотрены физико-химические параметры гаматогенных флюидов порфировых систем различных геодинамических обстановок. Показаны отличия в хаpaктере развития и изменения флюидного режима различных по масштабу оруденения порфировых месторождений. Высказано предположение о важной роли возникновения нестабильности в листосфере, астеносфере и более глубоких геосфер с участием плюмтектоники при формировании крупных порфировых систем.
...
23 10 2026 21:25:31
Статья в формате PDF
136 KB...
20 10 2026 10:26:21
Статья в формате PDF
120 KB...
19 10 2026 18:16:40
Статья в формате PDF
128 KB...
18 10 2026 18:27:53
Статья в формате PDF
113 KB...
17 10 2026 1:44:46
Статья в формате PDF
131 KB...
16 10 2026 23:30:12
Статья в формате PDF
211 KB...
15 10 2026 9:11:38
Статья в формате PDF
100 KB...
14 10 2026 6:29:38
Статья в формате PDF
110 KB...
13 10 2026 5:51:11
Статья в формате PDF
117 KB...
12 10 2026 14:38:55
В северо-восточных предгорьях Алтая на междуречье Бии и Катуни скважиной вскрыты плиоценовые озерные отложения. Литологические, минералогические, геохимические особенности этих отложений и ископаемая фауна моллюсков указывают на значительное похолодание и увлажнение климата по сравнению с теплым и аридным позднемиоценовым временем. По температурным условиям климат плиоцена мог быть близким современному климату в этом районе, но с годовым количеством осадков в два раза ниже.
...
11 10 2026 19:49:22
Статья в формате PDF
221 KB...
10 10 2026 21:43:43
Статья в формате PDF
115 KB...
09 10 2026 23:21:42
Статья в формате PDF
301 KB...
07 10 2026 2:32:42
Статья в формате PDF
244 KB...
06 10 2026 18:30:35
Статья в формате PDF
98 KB...
04 10 2026 6:31:44
Статья в формате PDF
120 KB...
02 10 2026 5:25:39
Статья в формате PDF
126 KB...
01 10 2026 16:58:35
Статья в формате PDF
220 KB...
30 09 2026 16:22:26
Статья в формате PDF
129 KB...
29 09 2026 20:51:28
Статья в формате PDF
111 KB...
28 09 2026 1:21:48
Проведен сравнительный анализ результатов популяционно-генетических исследований по выявлению легкодиагностируемых врожденных пороков развития и наследственных заболеваний среди населения Муганской и Ширванской зон Азербайджана. Установлена высокая частота распространения нарушений ЦНС, аномалий скелета и врожденных патологий зрения. С использованием молекулярного метода полимеразно-цепной реакции идентифицированы типы мутаций β-талассемии в обследованных зонах. Планируется проведение пренатальной диагностики талассемии.
...
27 09 2026 6:55:22
Статья в формате PDF
174 KB...
26 09 2026 12:20:30
Статья в формате PDF
376 KB...
24 09 2026 22:14:51
Статья в формате PDF
181 KB...
23 09 2026 20:36:20
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::
