ОСОБЕННОСТИ ТРАВЛЕНИЯ GAAS В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА

Авторы
Файлы

Беневоленский С.Б. Шарова С.Б. Статья в формате PDF 125 KB

Методы травления GaAs в низкотемпературной газоразрядной плазме в настоящее время широко исследуются и внедряются в производство изделий электронной техники[1-3]. Создание технологического оборудования для травления в низкотемпературной газоразрядной плазме с использованием магнетронных реакторов позволяет существенно улучшить параметры установок, влияющие на производительность и качество обработки GaAs. В частности, по сравнению с диодным ректором в реакторе магнетронного типа возможно достижение более высокой плотности мощности разряда и более устойчивое горение разряда при пониженном давлении.

Решающим достоинством травления в низкотемпературной плазме является возможность анизотропного травления, под которым понимается усиленное травление вглубь материала. Как известно, для увеличения анизотропного травления необходимо понижение рабочего давления и использование зарядов с магнитным удержанием плазмы.

Снижение давления в технологическом объеме плазмохимического реактора приводит к тому, что увеличивается длина свободного пробега частиц, ответственных за травление, вследствие чего возрастает анизотропия травления.

В рамках настоящей работы были проведены экспериментальные исследования по травлению GaAs в магнетронном разряде с использованием различных плазмообразующих газов. Полученные максимальные скорости травления в плазме различных рабочих газов и газовых смесей приведены в таблице.

Таблица.

Состав рабочего газа, об.%	Скорость травления, мкм/мин
H₂	0,5
CCl₄	5,0
C₂ Cl₃ F₃	8,5
PCl₃ (50%) + CCl₄ (50%)	12,5
PCl₃ (50%) + C₂Cl₃ F₃(50%)	15,0
PCl₃	20,0

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Толивер Д., Новицки Р., Хесс Д. и др. Плазменная технология в производстве СБИС:Пер. с англ. С сокращ./Под редак. Айнспрука Н. и Брауна Д. - М.: Мир,1987, 472с.
Беневоленский С.Б., Истомина Н.Л. Реактивное ионно-плазменное травление арсенида галлия в плазме водорода с использованием магнетронного разряда. - Известия ВУЗов, Сер. Электроника, 1996, №1-2, с. 111-113
Овчинников И.Л., Светцов В.И., Ефремов А.М. Плазмохимическое травление арсенида галлия в смесях хлора с аргоном. - Микроэлектроника, 1999, т.28, №1, с. 16-20

НОВЫЙ ПОДХОД К ИССЛЕДОВАНИЮ ПРИРОДЫ ТЕРРОРИЗМА

Статья в формате PDF 136 KB...