ВЛИЯНИЕ ОРИЕНТАЦИОННОЙ ВЫТЯЖКИ И ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПРОЧНОСТЬ, РЕЛАКСАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА И РАДИАЦИОННУЮ СТОЙКОСТЬ ПОЛИИМИДНЫХ ПЛЕНОК

Полиимидные пленки широко используются в радиоэлектронной промышленности в виде гибких печатных плат, пленочных соединительных кабелей, изоляционного и конструкционного материала. Данные материалы обладают высокой радиационной, термической и механической стойкостью, однако их диэлектрические свойства не полностью удовлетворяют современным требованиям. В связи с этим модификация полиимидных пленочных материалов с целью улучшения их электрофизических и прочностных свойств является важной задачей.
В данной работе методами релаксационной спектрометрии анализируются различные режимы термической и механической модификации полиимидных пленок. В качестве объекта исследования применялась промышленная полиимидная пленка ПМ-А (ТУ 6-19-121-79) толщиной 45-50 мкм. Полученные результаты сравнивались с лучшими зарубежными и отечественными аналогами.
Для оптимального выбора температурного режима модификации воспользовались релаксационным спектром полиимидной пленки. Известно [1], что при температурах релаксационных переходов в полимерах наблюдается резкое изменение хаpaктеристик. Было предположено, что наибольший эффект модификации будет проявляться именно при температурах релаксационных переходов. С целью выявления температур переходов в ПМ-А был снят полный спектр внутреннего трения по данным механических потерь и температурный спектр напряжения возникновения ионизационных процессов [2]. При этом наиболее значимые переходы наблюдались при 510-520 К и 610-630 К.
Исходя из релаксационного спектра пленки при температуре первого перехода были подвергнуты ориентационной вытяжке на 20, 40, 60 и 90 % с последующим отжигом в течение 10 минут при температуре второго перехода
Как показали последующие испытания, с увеличением степени вытяжки без последующей термической обработки средняя механическая прочность при растяжении снижается с 240 до 230 МПа. Вытяжка на 20% с последующей термообработкой приводит к увеличению механической прочности ПМ-А до 280 МПа. При вытяжке на 40-90 % прочность уменьшается до 200 МПа.
Следует отметить, что структура модифицированных пленок ПМ-А зависит от режимов модификации. Так степень кристалличности пленки, определенная рентгенографическим методом с ростом степени ориентации до 90 % увеличивается с 4 до 54 %. Такое противоречие с данными физико-механических испытаний обусловлено тем, что при ориентации больше чем на 20% в пленках происходит увеличение количества микродефектов и перенапряженных связей.
Электрофизические параметры ПМ-А, такие как удельная объемная электропроводность, электрическая прочность, напряжение возникновения ионизационных процессов, тангенс угла диэлектрических потерь так же улучшаются с ростом степени ориентационной вытяжки, а вытяжка на 20% с последующим отжигом приводит к полному исчезновению всех температурных максимумов диэлектрических потерь в интервале температур от 270 до 560 К и составляет 2·10-4. Данные параметры вплотную приближают модифицированную полиимидную пленку ПМ-А к «классическим» ВЧ- диэлектрикам, таких как, например, полистирол, полиэтилен и политетрафторэтилен.
При воздействии радиации, в частности при γ- облучении, модифицированные пленки ПМ-А оказались более стойкими к радиационному изменению их структуры. Так наибольшая радиационная стойкость в интервале поглощенных доз 1-10 МГр наблюдается для пленок, подвергнутых ориентационной вытяжке на 20% и последующей термообработке при 610 К в течение 10 минут. При этом максимумы tgδ сдвигаются в область более высоких температур. При 40 и 60 %-ной вытяжке при дозе в 10 МГр в материале увеличивается концентрация субмикротрещин, уменьшается электрическая и механическая прочность, растут диэлектрические потери. Эти данные подтверждаются деполяризационной спектрометрией [3].
Дополнительной положительной хаpaктеристикой описанного метода модификации полиимидной пленки является получение пpaктически безусадочной пленки, что позволяет применять ее в тонкопленочных гибких печатных платах радиоэлектронных устройств.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Бартенев Г.М., Цой Б. Прочность и релаксационные переходы. Высокомолекулярные соединения, сер.А. 1985, Т. 27, с.2422 - 2425.
- Лаврентьев В.В. Авт. св. СССР № 1013836. Способ определения релаксационных переходов в полимерных материалах./ Б.И. 1983, № 15.
- Лаврентьев В.В. Авт. св. СССР № 947733. Способ контроля дефектности структуры полимерных материалов. / Б.И. 1982, № 28.
В статье дано математическое описание процесса образования градиентных оксидных покрытий в микроплазменном режиме для случая, когда лимитирующей стадией процесса является стадия доставки ионов из раствора электролита к поверхности электрода.
Статья может быть полезна исследователям и пpaктикам, изучающим и использующим микроплазменные процессы для получения оксидных и керамических покрытий в растворах электролитов.
...
10 08 2026 15:10:55
Статья в формате PDF
299 KB...
09 08 2026 21:48:55
07 08 2026 19:50:50
Статья в формате PDF
100 KB...
05 08 2026 19:58:16
Статья в формате PDF
104 KB...
04 08 2026 13:36:26
Статья в формате PDF
302 KB...
03 08 2026 2:55:39
Статья в формате PDF
221 KB...
02 08 2026 6:12:24
В работе приведены результаты применения ГИС технологий в различном масштабе для анализа структуры растительности и влияние антропогенной нагрузки на параметры растительного покрова регионов, в целом, и отдельных сообществ Якутии, в частности. Примененные подходы могут быть использованы в различном масштабе для анализа степени антропогенного пресса территорий и анализа растительности.
...
31 07 2026 4:12:15
Статья в формате PDF
287 KB...
30 07 2026 3:17:34
Предлагается феноменологическое описание фазовых переходов в полигональных квазикристаллах, учитывающее собственную симметрию линейных фазонных и фононных деформаций. Определено представление группы этой симметрии, рассчитан базис инвариантов, построен типичный термодинамический потенциал и проведена симметрийная классификация решений уравнений состояния.
...
29 07 2026 19:23:23
Статья в формате PDF
133 KB...
28 07 2026 10:20:27
Статья в формате PDF
111 KB...
27 07 2026 19:47:14
Статья в формате PDF
319 KB...
26 07 2026 1:49:53
Статья в формате PDF
115 KB...
25 07 2026 12:22:39
Статья в формате PDF
114 KB...
24 07 2026 13:10:45
Статья в формате PDF
127 KB...
23 07 2026 21:29:13
22 07 2026 3:46:29
Статья в формате PDF
111 KB...
21 07 2026 10:23:44
Статья в формате PDF
314 KB...
20 07 2026 15:58:38
Статья в формате PDF
127 KB...
19 07 2026 5:18:32
Разработана методика определения констант диссоциации протонированных трехкислотных оснований, отличающаяся новым подходом к оценке и учету концентраций всех равновесных частиц, для расчета ионной силы раствора.
...
18 07 2026 14:57:35
Статья в формате PDF
249 KB...
17 07 2026 21:40:32
Статья в формате PDF
115 KB...
16 07 2026 10:25:36
Статья в формате PDF
468 KB...
15 07 2026 5:18:51
Статья в формате PDF
233 KB...
14 07 2026 12:16:16
Статья в формате PDF
253 KB...
13 07 2026 1:31:56
Статья в формате PDF
170 KB...
12 07 2026 9:32:47
Статья в формате PDF
110 KB...
11 07 2026 5:21:13
Статья в формате PDF
101 KB...
10 07 2026 20:38:36
Статья в формате PDF
129 KB...
08 07 2026 16:39:35
Статья в формате PDF
125 KB...
06 07 2026 11:44:16
Статья в формате PDF
106 KB...
04 07 2026 12:20:33
Статья в формате PDF
113 KB...
03 07 2026 2:17:20
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::