ГЛУБОКОЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ МАРКИРОВАНИЕ ИЗДЕЛИЙ ДВУМЕРНЫМИ ШТРИХОВЫМИ КОДАМИ

Международный стандарт системы менеджмента качества ISO 9001:2000 требует проводить идентификацию каждого изделия на всех технологических циклах производства. Штриховые линейные коды, которые изначально рассчитывались на высокий контраст и качество изображения, наносятся на бумажную основу или на этикетки, что может привести в дальнейшем к потере информации. Такая маркировка позволяет нанести не более 30 цифр, что не всегда позволяет закодировать нужный объём информации. Всё это привело к появлению двумерной символики, которая позволяет кодировать в сотни раз больше информации, предназначена для непосредственного нанесения на изделия, имеет большую защищённость информации за счёт уплотнения, дублирования и системы исправления ошибок Рида-Соломона.
К преимуществам матричной маркировки, например, Data Matrix, относится возможность электронного считывания под любым углом; возможность считывания при 20 %-ой контрастности знаков маркировки по отношению к поверхности (для линейного штрихового кода требуется не менее 80 - 90 % контраста); имеется возможность масштабирования и дистанционного считывания. В квадратной маркировке размером несколько миллиметров может быть нанесено до 2335 буквенно-цифровых знаков, фактически это портативная база данных.
Одним из эффективных методов маркирования токопроводящих поверхностей является электрохимическое маркирование (ЭХМ). Типичные применяемые установки ЭХМ используют сплошной электрод-инструмент (ЭИ) и трафарет с отверстиями в виде маркируемого рисунка, при этом между ЭИ и маркируемой деталью нет протока электролита, процесс осуществляется только за счёт смачивания электролитом пористой прокладкой. Это накладывает ограничения на глубину маркирования. Кроме того, такие трафареты позволяют нанести ограниченное число маркировок, требуют для печати специальных материалов и принтеров, либо применения фотолитографических методов.
Реализовать преимущества ЭХМ в полной мере позволяют такие установки, в которых толщина межэлектродного зазора (МЭЗ) минимальна, одинакова по всей поверхности и обеспечивает условия для равномерного протекания электролита. Рабочая поверхность разработанного нами ЭИ для ЭХМ матричной символикой размером 10х10 элементов представляет собой плоскую матрицу, образованную торцами изолированных медных проводников диаметром 0,35 мм, расположенных в форме растровой решетки. Толщина МЭЗ составляет 0,1 - 0,2 мм, электролит готовится на основе хлористого или азотнокислого натрия.
Нами разработан также способ коммутаций секций ЭИ с использованием фотоэлементов, не содержащий механических переключателей, а также без использования сложных программирующих устройств. Каждая секция ЭИ через усилитель подсоединялась к фотосопротивлению на плоской панели, и расположение фотосопротивлений соответствовало расположению соответствующих секций ЭИ. Обработка осуществлялась постоянным или переменным (для чернения) током. Для этого на матрицу фотоэлементов через фотоплёнку или фотошаблон проецировалось световое изображение, в соответствии с которым осуществлялась коммутация и прохождение тока по секциям ЭИ. Глубина знаков при времени обработки 40 с составляла 0,2 мм, что существенно выше трафаретных методов ЭХМ.
Дана хаpaктеристика локализации и цитологических особенностей cart-пептидсодержащих нейронов, выявленных на территории кортико-медиальной группировки миндалевидного комплекса мозга
...
19 04 2026 16:59:25
Статья в формате PDF
133 KB...
18 04 2026 12:41:46
Статья в формате PDF
132 KB...
17 04 2026 17:38:59
16 04 2026 9:30:36
Статья в формате PDF
286 KB...
15 04 2026 14:24:59
Статья в формате PDF
111 KB...
14 04 2026 15:41:52
Статья в формате PDF
121 KB...
13 04 2026 14:34:34
Статья в формате PDF
109 KB...
11 04 2026 7:21:19
Статья в формате PDF
295 KB...
10 04 2026 14:43:59
Статья в формате PDF
110 KB...
09 04 2026 19:32:37
Статья в формате PDF
241 KB...
07 04 2026 2:54:57
Статья в формате PDF
221 KB...
06 04 2026 20:46:23
Работу вычисляют по формуле: dA=FdS или A=FS. Но эта формула применима только для силы вызывающей изменение кинетической энергии тела. Для других сил (трения, упругой деформации, центростремительных) работу нужно вычислять по формуле: , где - импульс силы.
...
05 04 2026 22:58:16
Статья в формате PDF
124 KB...
04 04 2026 16:14:44
Статья в формате PDF
119 KB...
03 04 2026 16:42:53
Статья в формате PDF
120 KB...
02 04 2026 1:49:10
Статья в формате PDF
112 KB...
01 04 2026 0:41:45
Статья в формате PDF
112 KB...
31 03 2026 4:55:25
Статья в формате PDF
119 KB...
30 03 2026 1:28:29
Статья в формате PDF
122 KB...
29 03 2026 18:41:59
Статья в формате PDF
313 KB...
28 03 2026 10:54:14
Статья в формате PDF
114 KB...
26 03 2026 18:12:29
Статья в формате PDF
115 KB...
25 03 2026 13:50:15
Статья в формате PDF
143 KB...
24 03 2026 13:34:22
22 03 2026 7:42:31
Статья в формате PDF
132 KB...
21 03 2026 0:44:44
Статья в формате PDF
112 KB...
20 03 2026 11:36:56
Статья в формате PDF
140 KB...
18 03 2026 1:28:42
Статья в формате PDF
114 KB...
17 03 2026 23:53:49
16 03 2026 0:18:45
Статья в формате PDF
255 KB...
14 03 2026 1:17:12
Статья в формате PDF
142 KB...
13 03 2026 23:39:38
Статья в формате PDF
224 KB...
11 03 2026 16:26:33
Еще:
Поддержать себя -1 :: Поддержать себя -2 :: Поддержать себя -3 :: Поддержать себя -4 :: Поддержать себя -5 :: Поддержать себя -6 :: Поддержать себя -7 :: Поддержать себя -8 :: Поддержать себя -9 :: Поддержать себя -10 :: Поддержать себя -11 :: Поддержать себя -12 :: Поддержать себя -13 :: Поддержать себя -14 :: Поддержать себя -15 :: Поддержать себя -16 :: Поддержать себя -17 :: Поддержать себя -18 :: Поддержать себя -19 :: Поддержать себя -20 :: Поддержать себя -21 :: Поддержать себя -22 :: Поддержать себя -23 :: Поддержать себя -24 :: Поддержать себя -25 :: Поддержать себя -26 :: Поддержать себя -27 :: Поддержать себя -28 :: Поддержать себя -29 :: Поддержать себя -30 :: Поддержать себя -31 :: Поддержать себя -32 :: Поддержать себя -33 :: Поддержать себя -34 :: Поддержать себя -35 :: Поддержать себя -36 :: Поддержать себя -37 :: Поддержать себя -38 ::